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Die Hauptgebiete

6. Festkörperphysik

10. Halbleiter



10. Ladungsträgerkonzentration beim n-Halbleiter:

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Querverweise:
Experimentalphysik 1-4:   Kernmitbewegung beim Bohrschen Atommodell
Quantenmechanik:   Bestimmung der Energieeigenwerte beim eindimensionalen Potentialtopf   Graphische Bestimmung der Bandstruktur beim Kronig Penny Modell   Relativistische Massenkorrektur beim Wasserstoff-Atom   Feinstrukturaufspaltung beim Wasserstoff-Atom   Berücksichtigung der Elektron-Elektron Wechselwirkung beim Helium   Kernwellenfuktion beim zweiatomigen Molekül

15.07.2002 - URL dieser Seite - Seite_ID: 6010010
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11. p-n Ãœbergang


Bildschirmexperimente zu diesem Thema:
dim.modul Freier Fall II (Bewegungsgesetz)
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dim.modul Leuchtdiode LED
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dim.modul Laserdiode
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Literatur zu diesem Thema:
 
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Kapitelübersicht

10. Halbleiter

1. Halbleiter allgemein
2. Stromleitung durch Löcher und Elektronen
3. Ladungsträgerkonzentration bei Eigenleitung
4. Ladungsträgerkonzentration und Ferminiveau bei Eigenleitung
5. Eigenleitung in Halbleitern / Beweglichkeit in Abhängigkeit von der Temperatur
6. Dotierte Halbleiter allgemein
7. Donatoren
8. Akzeptoren
9. Ladungsträgerkonzentration bei Störstellenleitung
10. Ladungsträgerkonzentration beim n-Halbleiter
11. p-n Ãœbergang
12. p-n Ãœbergang mit Spannung
13. Experimentelle Methoden zur Bestimmung der charakteristischen Eigenschaften eines Halbleiters
14. Hall-Effekt bei Halbleitern
15. Zyklotronresonanz bei Halbleitern
16. Bandstruktur von Silizium
17. Direkte / indirekte Halbleiter
18. Quanten-Hall-Effekt
19. Halbleiterlaser